Intel y Micron desvelan el primer chip NAND de 128Gb

Y de repente la capacidad base en los dispositivos móviles se multiplicó milagrosamente. Micron e Intel han anunciado hoy algo en lo que han estado trabajando juntas durante un largo periodo, el primer chip NAND de 128Gb, que llevará a los dispositivos de consumo como tablets, smartphones y SSDs a mayores cotas de almacenamiento en los próximos años. La nueva memoria NAND Flash de las dos compañías es el primero de su clase, al estar fabricado con tecnología de 20nm y alcanzar semejante densidad de almacenamiento, en formato MLC lo que debería hacerlo relativamente asequible. En la misma nota de prensa, ambas firmas han anunciado también un chip más humilde, de 64Gb también fabricado a 20nm, con la particularidad de estar producido en formato SLC, de modo que sería en general más fiable y tendría un mayor rendimiento que el encapsulado de 128Gb. El nuevo dispositivo de alta densidad tiene el potencial de permitir hasta 1 Terabit — 128 Gigabytes — distribuidos en 8 chips empaquetados en un dispositivo del tamaño de la yema de un dedo, con hasta el doble de rendimiento que soluciones actuales de 64GB. La tecnología de 20nm utilizada para producir estas memorias desarrollada en conjunto por esta colaboración entre Intel y Micron llamada IM Flash Technologies, utiliza una nueva estructura de celdas — planar cell — que permite un escalado más agresivo que otras arquitecturas. El chip de 128Gb entra dentro de la especificación ONFI 3.0, lo que significa que es capaz de ofrecer un rendimiento excepcional (hasta 400MB/s según la descrpición de la especificación) y está preparado para los dispositivos de última generación.

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